> ## Content Index
> Fetch the complete content index at: https://admin.kod.ru/llms.txt
> Use this file to discover other available public pages before exploring further.

# Samsung представила модуль оперативной памяти DDR5 на 512 ГБ
- URL: https://admin.kod.ru/5217/
- Published: 2021-03-26T06:30:32.000Z
- Updated: 2021-03-26T08:41:17.000Z
- Description: Южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового формата DDR5 с максимально возможным объемом до 512 ГБ
- Author: Игорь Савкин
- Tags: Новости, Технологии

Южнокорейский технологический гигант в лице компании Samsung представил наконец свою новую разработку — модули своей оперативной памяти нового формата DDR5 с максимально возможным объемом до 512 ГБ. Данное решение будет прежде всего ориентировано на использование в различных суперкомпьютерах и ЦОД.

![](https://admin.kod.ru/content/images/2021/03/Samsung-HKMG-DDR5_dl1.jpg)

Производитель отметил, что модуль выполнен по технологии High-K Metal Gate (HKMG). Именно она предусматривает применение диэлектриков в производстве.

Сама технология HKMG представляет собой способ производства полупроводников с использованием диэлектриков, выполненных из материала, диэлектрическая проницаемость которого больше, чем у диоксида кремния. С 2018 года технологию применяют для производства чипов памяти GDDR6, которые применяются в современных видеокартах.

Один модуль ОЗУ нового типа объединяет восемь слоёв микросхем DRAM ёмкостью 16 ГБ каждый. Это позволяет использовать максимально 512 ГБ ОЗУ и частоту до 7200 МГц. Важно отметить, что вдвое быстрее DDR4, потребляя при этом на 13% меньше электроэнергии.

Как и было отмечено ранее, новая память ориентирована в первую очередь на суперкомпьютеры для решения задач, связанных с искусственным интеллектом, машинным обучением и анализом больших массивов данных.