Sep 20, 2026 • 15:57

Китайская CXMT запустила массовое производство памяти нового поколения

Sep 20, 2026 • 15:57

Данная страница содержит «вставки» с других сайтов, скрипты которых могут собирать ваши личные данные для аналитики и своих внутренних потребностей. Редакция рекомендует использовать браузеры с блокировкой трекеров для просмотра таких страниц. Подробнее →

Китайский производитель памяти CXMT объявил о начале массового производства DRAM на технологической платформе пятого поколения G5.

CXMT заявляет, что технологические возможности G5 приблизились к наиболее передовым платформам DRAM, уже используемым в массовом производстве. Расстояние между ключевыми элементами массива памяти удалось уменьшить до 11,95 нм с помощью четырёхкратного формирования рисунка проводников SAQP.

По сравнению с платформой предыдущего поколения, G5 позволяет разместить как минимум на 50% больше потенциальных кристаллов на одной кремниевой пластине при пересчёте на 8-гигабитные чипы. Речь идёт о количестве кристаллов до отбраковки дефектных экземпляров, а не о фактическом выходе годной продукции.

Одновременно CXMT представила два чипа LPDDR5X на новой платформе. Каждый из них имеет ёмкость кристалла 24 Гбит — на 50% больше, чем у сопоставимых продуктов предыдущего поколения компании. Они предназначены прежде всего для смартфонов и другой портативной электроники и уже находятся в массовом производстве.

В CXMT также рассказали, что при разработке G5 использовали цифровой двойник производственной линии и сотрудничали с китайскими производителями оборудования. Компания позиционирует новую платформу как способ повысить энергоэффективность и снизить себестоимость памяти.

Крупнейшими мировыми производителями DRAM остаются Samsung Electronics, SK hynix и Micron. CXMT считается крупнейшим китайским производителем такой памяти и развивает собственные технологии на фоне ограничений США на поставки в Китай части передового оборудования для выпуска полупроводников.

7 сентября CXMT уже объявила о начале массового производства LPDDR6. Первым смартфоном с такой памятью должен стать Xiaomi 18 Fold. Чип объёмом 16 ГБ поддерживает скорость передачи данных до 12 800 Мбит/с и, по данным самой CXMT, потребляет на 20% меньше энергии, чем LPDDR5X предыдущего поколения.

Ранее «Код.ру» писал, что глобальный дефицит DRAM и NAND-памяти, по оценке Counterpoint Research, может сохраняться как минимум до второй половины 2027 года. Аналитики ожидают, что производство DRAM в 2026 году вырастет на 26%, однако этого пока недостаточно для полного покрытия спроса.